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中美芯片之決戰——碳化硅材料

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中美芯片之決戰——碳化硅材料

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以下內容源自微博:汪良忠_玄微散人

2018-04-21

近日,美國對中興出臺的芯片禁售政策正式拉開了中美芯片之戰的序幕。這場不見硝煙的戰爭表面上看是經濟利益之爭,實際是大國之間的皇位之爭。

在過去的半個世紀中,芯片產業是對整個工業和人類社會生活起到最大推動作用的行業。它關乎國計民生的方方面面,上至軍事裝備、衛星雷達、交通運輸、電力、政務、金融,下至普通百姓的生活、娛樂、文化、健康等。進入數字化信息時代,它更是一騎絕塵,成為信息革命的基石,而這些成就的基礎與前提,就是芯片材料。

巧婦難為無米之炊,如果沒有芯片材料的發展成熟,芯片的各種功能將難以實現,其下游的應用就會受阻,而社會工業發展與人們生活水平提高的進程也會放緩。材料的質量與供應對芯片的質量和競爭力起著至關重要的作用,因此,我們認為中美芯片之戰的關鍵在于能否率先掌握新一代芯片材料的核心技術。

在決定芯片性能的關鍵材料領域,第三代半導體材料成為全球芯片材料爭奪的焦點。所謂第三代半導體材料,主要包括SiC、GaN等化合物半導體,因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3電子伏特(eV),又被稱為寬禁帶半導體材料,當前以SiC的發展應用最為成熟。和第一代、第二代半導體材料相比,第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點,可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。在國防、航空、航天、石油勘探、光存儲、新能源等領域有著重要應用前景,對人類科技的發展具有里程碑的意義。

歷來,芯片材料都是我國在該產業的薄弱環節,一直受制于歐美各國。令人可喜的是,在第三代半導體材料的研發上,我國已同歐美站在同一起跑線上。中國科學院物理研究所的科研人員經過十余年的刻苦鉆研,終于開辟新的途徑和工藝,于十三年前在碳化硅領域實現了技術和產業化的突破。又經十余年的發展,目前在關鍵技術和主導產品的研發上,已同國際最高水平并駕齊驅,并有望成為這個行業的技術領導者。我們堅信,在天時、地利、人和俱全的歷史性機遇前,碳化硅材料核心技術將會成為我國手握的長纓,幫助我們取得中美芯片決戰的勝利。????

 

 

 
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